Penerapan teknologi pada proses pembuatan produk ternyata sangat membantu. Menampilkan stabilitas dan daya tahan, bagian Komponen Perbedaan SiC Silicon Carbide cocok untuk bidang Refraktori. Perbedaan Bagian Komponen Silikon Karbida SiC memiliki arti penting dalam mengambil lompatan maju dan memberikan dorongan baru ke dalam perkembangan industri. Perbedaan komponen Komponen SiC Silicon Carbide, sebagai salah satu produk terbaik dan terkini kami, patut untuk diperhatikan secara luas dan ditampilkan kepada pelanggan di seluruh dunia.
Tempat asal: | Hunan, Tiongkok | Membentuk: | PIPA |
Bahan: | Silikon Karbida (SiC) | Kandungan SiO2 (%): | 0,1% |
Kandungan Al2O3 (%): | 0,1% | Kandungan MgO (%): | 0,01 |
Konten CaO (%): | 0,01 | Refraktori (Gelar): | Umum (1580°< Refractoriness< 1770°) |
Konten CrO (%): | 0 | Konten SiC (%): | 30-99 |
Nomor model: | XTL-W200 | Nama merk: | Xingtailong |
Suhu kerja maksimal: | 1700℃ | Panjang: | 200-1500mm |
beban permukaan: | maks. 13W/cm2 | Konduktivitas termal: | 0,08W/(m*K) |
Kekerasan Mohs: | 80-90 jam | Porositas: | 10-11% |
Kepadatan massal: | 2,6-3,3g/cm³ |
Kinerja Untuk Keramik Industri
Barang |
Satuan |
SiC |
SSiC |
Kemurnian |
% |
≥90 |
≥98 |
Kepadatan |
G/cm3 |
3.05 |
3.1 |
Kekerasan Pantai |
HS |
110-125 |
120-130 |
Modulus Elastis |
MPa |
4.12*105 |
4,10*10 detik |
Rasio Poisson |
|
0,15 |
0,16 |
Daya tarik |
MPa |
2,75*102 |
2.8*102 |
Kekuatan Lentur |
MPa |
4.41*102 |
4.9*102 |
Kekuatan Kompresi |
MPa |
2,94*103 |
3.0*102 |
Konduktivitas termal |
W/m.k |
141 |
147 |
Koefisien Ekspansi Termal |
saya/℃ |
4.3*10-6 |
4.0*10-6 |
Tahan Panas |
|
1380C |
1400C |
Toleransi |
Mm |
-0,02——+0,02 |
-0,02——+0,02 |
Ketahanan Asam |
|
5 kali lebih tinggi dari TC biasa |
Tahan terhadap media kimia | '
Ω±
“
’
™
Tinggalkan pesan
Hak Cipta © 2022 Liling xing tai long special ceramic co.,ltd Seluruh hak cipta.